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VMO580-02F |
Y3-Li | IXYS | 194 | 询价QQ： |
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VMO580-02F参数 产品类别：半导体模块-FET 说明：MOSFET N-CH 200V 580A MODULE 包装数量：3 包装形式：散装 PDF资料下载： FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：580A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3.8 毫欧 @ 430A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 50mA 闸电荷(Qg) @ Vgs：2750nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds：- 功率 - 最大：- 安装类型：底座安装 |
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热门型号： 配件A16N-PX100 通孔电阻器1879662-9 线性 - 放大器 MHW7222BN 圆形MS3102R28-20SW LED - 电路板LTL-553-11 拨动开关M2028RB1W01 拨动开关1TL1-21E 其它AUIRFS3006TRL 通孔电阻器MBA02040C2202FRP00 陶瓷电容器VJ1206Y392JBLAT4X |
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